Eraseable Programmable Read Only Memory

Dieser Bausteintyp ist mit Hilfe spezieller programmierbar und lässt sich mittels UV-Licht etwa 100-200 mal löschen und danach programmieren. Das dazu nötige Quarzglas-Fenster macht das relativ teuer daher gibt es auch Bauformen Fenster die nur einmal beschreibbar sind ( OTP ).

Ein EPROM enthält eine Matrix aus in denen jeweils ein Transistor ein Bit repräsentiert. Eine Speicherzelle besteht aus einem MOSFET -Transistor mit einer isolierten Hilfselektrode dem Floating Beim Programmieren wird eine erhöhte Spannung angelegt dass durch den Tunneleffekt das Floating Gate geladen wird. Dadurch sich die Ansteuerspannung bei welcher der Transistor Die Daten lassen sich nun beliebig oft wobei die Lesespannung unterhalb der Programmierspannung liegt.

Das zum Löschen verwendete UV-Licht bewirkt die vorher aufgebrachte elektrische Ladung das Floating des Transistors wieder verlassen kann. Das Bitmuster ist gelöscht und das EPROM in seinem ursprünglichen

Eine Weiterentwicklung ist das elektrisch löschbare Eraseable PROM / EEPROM ).

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