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Gallium-Arsenid


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Die binäre Verbindung Gallium-Arsenid (GaAs) ist ein Halbleiter . Darauf aufbauende Verbindungen und Epitaxie -Schichten sind das Ausgangsprodukt zur Herstellung elektronischer für Hochfrequenz-Anwendungen und für die Umwandlung von in optische Signale.

Gallium-Arsenid kristallisiert in der Zinkblende -Struktur das heißt es besteht aus zwei kubisch-flächenzentrierten Gittern je mit Gallium ( Gruppe  III) bzw. Arsen-Atomen (Gruppe V) besetzt die um Viertel der Raumdiagonalen der kubischen Einheitszelle gegeneinander sind. Die Gitterkonstante beträgt bei Raumtemperatur 5.65330 Ångström. spezifische Gewicht ist 5.32 g/cm³. Die Energielücke beträgt eV . In der Grundlagenforschung und der Halbleiterindustrie GaAs vor allem im Rahmen des Materialsystems zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen verwendet.

Schnell schaltende Bauteile zehnmal schneller als Silizium die zudem noch einen geringeren Energiebedarf gelten als wichtiger Grundstoff für die Telekommunikation . In leistungsfähigen Mobiltelefonen basieren die Bauelemente ( Integrierter Schaltkreis ) für den Empfang und das Senden Signalen auf Gallium-Arsenid. Darüber hinaus wird Gallium-Arsenid um mit Hilfe von Lasern und oberflächenemittierenden Lasern ( VCSEL ) Informationen durch Glasfasernetze zu senden sowie mit Energie aus hochspezialisierten Solarzellen ( Photovoltaik ) zu versorgen. Selbst in alltäglichen Anwendungen das Abspielen einer CD sorgt ein Laser Gallium-Arsenid für den Musikgenuss. Ein weiteres wichtiges sind Leuchtdioden .

Die Herstellung von Gallium-Arsenid erfolgt durch der beiden Elemente Gallium und Arsen und daran anschließende Kristallzucht Hilfe von Ziehverfahren nach Czochralski und Bridgman .

Siehe auch: Wafer

Literatur

  • Sadao Adachi GaAs and related materials World Scientific Singapore 1994.



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