Eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus Silizium auf dem isolierenden Substrat Saphir (engl. Silicon on Saphire).
Es ermöglicht die Herstellung von Transistoren bzw. von ICs mit besonders hoher Betriebsspannung oder besonders Strahlenresistenz (nötig evtl. beim Einsatz in Satelliten im Bereich des Van Allen-Gürtels ).