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NAND- Gatter interner Aufbau
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dani07664
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Anmeldungsdatum: 09.02.2010
Beiträge: 36

BeitragVerfasst am: 13 Jan 2012 - 00:47:00    Titel: NAND- Gatter interner Aufbau

Hey Leute,

wir sprechen derzeit den internen Aufbau eines NAND Gatters durch.
Mir ist nun aber nicht mehr ganz klar wie das NAND Gatter intern Arbeitet wenn beide Eingänge auf Low geschaltet sind, theoretisch müsste ja ein High Signal rauskommen. Nach meiner Überlegung (Rot gekenzeichnet ) ist dies aber scheinbar nicht der Fall.

Könnte mir das jemand erklären.

Falls ich irgendwie komplett falsch bin korrigiert mich bitte, ich bin über jedliche Form von Hilfe Dankbar





Gruß Dani
elexberd
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Anmeldungsdatum: 08.10.2010
Beiträge: 788
Wohnort: Berlin

BeitragVerfasst am: 13 Jan 2012 - 01:29:37    Titel:

Wenn einer der Eingänge auf Null liegt, wird der Eingangs-Transistor leitend, d.h. der Kollektor wird ebenfalls Null und die beiden nachfolgenden Transistoren sind gesperrt. Dann wird der Ausgang über den oberen Ausgangstransistor high.
dani07664
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Anmeldungsdatum: 09.02.2010
Beiträge: 36

BeitragVerfasst am: 13 Jan 2012 - 12:36:28    Titel:

Vielen Dank für deine Antwort.

Und wie funktioniert das ganze wenn beide eingänge auf low sind.

Vielen Dank schonmal im Vorraus.
elexberd
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Anmeldungsdatum: 08.10.2010
Beiträge: 788
Wohnort: Berlin

BeitragVerfasst am: 13 Jan 2012 - 13:10:35    Titel:

Wenn einer der Eingänge low ist, besteht die beschriebene Bedingung bereits und ein zweiter Eingang auf low ändert daran nichts.

Wenn der zweite Eingang aber high ist, sperrt der entsprechende Emitter und hat keinen Einfluss auf den Zustand des Gatters. Ein low ist also vorrangig.
dani07664
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Anmeldungsdatum: 09.02.2010
Beiträge: 36

BeitragVerfasst am: 13 Jan 2012 - 17:16:09    Titel:

Viel Dank für deine Antworten.

Nun noch ein paar Paar fragen: Embarassed

Die Ansteuerung erfolgt, indem U1 oder U2 auf einen Low-Pegel (bzw. Masse) gelegt werden. Dadurch wird V1 leitend, da nun über R1 ein Basisstrom fließt. Die Basis von V2 wird dadurch nahezu auf Masse (UV1Sat) gelegt, wodurch V2 sperrt. Damit liegt die Basis von V3 auf High, die von V4 auf low.V3 leitet also und legt den Ausgang auf high.

Sind die Eingänge mit high beschaltet, so wird V2 über die Basis-Kollektor-Strecke von V1 mit Strom versorgt und leitend. V3 wird gesperrt und V4 leitend. Nur in diesem Zustand liegt der Ausgang auf low.
Quelle Wiki





Das ist ja Auch das was du geschrieben hast.

Nun die Fragen:
Warum leitet der Eingangstransistor sofern einer oder auch beide Eingänge auf Low gesetzt ist, runter auf GND. Und warum leitet er dann Richtung V2 wenn beide auf High stehen.

Und warum wird V3 dann durchgeschaltet sofern ein Ausgang auf 0 liegt.

Wie ist das zu erklären.

Gruß Dani
elexberd
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Anmeldungsdatum: 08.10.2010
Beiträge: 788
Wohnort: Berlin

BeitragVerfasst am: 13 Jan 2012 - 22:17:59    Titel:

Wenn der Emitter von V1 auf Null liegt, fließt Basisstrom über R1. V1 ist dann leitend und das bedeutet, dass die Spannung Uce fast Null ist, V2 ist dann gesperrt. Im Fall, dass weder U1, noch U2 auf Null sind, also beide high, fließt über die Strecke Basis-Kollektor Strom, denn ein Bipolartransistor ist im Verhalten symmetrisch, das heißt, dass ebenso, wie von Basis nach Emitter Strom fließen kann, ebenso auch ein Stromfluss zum Kollektor möglich ist. Dieser Strom reicht aus, um V2 in den leitenden Zustand zu bringen.

Ich nehme an, dass du dich bei deiner Frage betreffend V3 verschrieben hast und nicht "Ausgang" gemeint hast. Wenn es "Eingang" heißen sollte, dürfte die Sache doch geklärt sein, denn wenn ein Eingang Null ist, leitet V1, V2 und V4 sperren und V3 erhält Basisstrom. Ausgang ist high.
dani07664
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Anmeldungsdatum: 09.02.2010
Beiträge: 36

BeitragVerfasst am: 16 Jan 2012 - 20:32:55    Titel:

Vielen Dank für deine ausführliche Erklärung, ich habe es nun auch Verstanden Rolling Eyes

Beste Grüße

Dani
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