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RUB-Tagung: Ionenimplantation

24.04.1996 - (idw) Ruhr-Universität Bochum

Bochum, 24.04.1996 Nr. 74

Hoehere Wirkungsgrade fuer Halbleiterelemente

Auf dem Weg zu verbesserten Materialeigenschaften

17. Treffen der Benutzergruppe Ionenimplantation

Das Dynamitron-Tandem-Laboratorium (DTL) der RUB ist am 26.04.1996 Gastgeber des 17. Treffens der Benutzergruppe Ionenimplantation. Dieses Treffen findet halbjaehrlich statt und fuehrt Vertreter von Forschungseinrichtungen, der Industrie und Geraeteherstellern zu einem intensiven Erfahrungsaustausch ueber Probleme der Ionenimplantation zusammen.

Zusammenarbeit mit der Industrie

Das DTL beschaeftigt sich seit 1989 mit der industriellen Anwendung von Hochenergie-Ionenimplantation als Methode zur gezielten Modifikation von Materialeigenschaften, insbesondere bei der Entwicklung und Produktion von Halbleiterbauelementen. Unter der Leitung von Akad. Direktor Dipl.-Phys. K. Brand ist in enger Kooperation mit einem mittelstaendischen Hersteller von Leistungshalbleitern ein Bauelement entwickelt worden, das sich unter anderem durch einen hoeheren Wirkungsgrad gegenueber konventionell hergestellten Konkurrenzprodukten auszeichnet. Hoeherer Wirkungsgrad bedeutet geringeren Einsatz von Primaerenergie und verringerten CO2-Ausstoss.

Im Zuge der Vermarktung dieses High-Tech-Produktes sind einige Arbeitsplaetze neu entstanden. Eine aehnliche Entwicklung laeuft zur Zeit mit einem Hersteller in NRW zur Entwicklung von Bauelementen, die in der Bahntechnik Verwendung finden.

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